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中科院:光刻技术是国内外集成电路领域差距最大的环节

www.tenimizer.com2019-10-07

原始半导体投资联盟2011.97.17我要分享

集微网新闻(Text/Oliver),2019年9月17日,中国IC设计大会在中国科学院青岛La山区正式举行,刘铭院士在讲话中指出,国内光刻技术与国外技术之间的差距仍然是1520年,是集成电路领域最大的差距。

刘明谈到了国内集成电路的几种基本技术。关于光刻胶技术,刘明说,中国在超紫外光源,多层膜,掩模,光刻胶,超光滑抛光技术方面取得了一些研究进展。但总的来说,国内光刻技术与国外技术之间的差距仍为15至20年,这是集成电路领域最大的差距。

在逻辑器件方面,刘明指出,中国对低功耗新原理逻辑器件的机理,模型,材料,结构和集成技术进行了前瞻性研究。国内优势企业,大学和研究院所对基于硅的逻辑器件的全套铅技术进行了系统研究,为工业发展提供了技术知识产权援助。

此外,刘明还表示,中国已经对新的存储器前沿和关键技术进行了系统研究;学术界与业界紧密合作,共同开发了RRAM,PRAM和MRAM的大规模集成流程。

最后,刘明强调,集成电路的快速发展是信息化的核心和基础。继续使设备体积缩小的“超越摩尔”路线很难在中国以外实现,但这是创新的基础。它必须得到巩固,没有任何余地。 (打样/冬青)

*此内容是微网络的原始内容,版权归微网络所有。未经Jiwei.com的书面授权,不得以任何方式使用它,包括重印,提取,复制或镜像。

本文是第一作者的原创文章,未经授权不得复制。

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集微网新闻(Text/Oliver),2019年9月17日,中国IC设计大会在中国科学院青岛La山区正式举行,刘铭院士在讲话中指出,国内光刻技术与国外技术之间的差距仍然是1520年,是集成电路领域最大的差距。

刘明谈到了国内集成电路的几种基本技术。关于光刻胶技术,刘明说,中国在超紫外光源,多层膜,掩模,光刻胶,超光滑抛光技术方面取得了一些研究进展。但总的来说,国内光刻技术与国外技术之间的差距仍为15至20年,这是集成电路领域最大的差距。

在逻辑器件方面,刘明指出,中国对低功耗新原理逻辑器件的机理,模型,材料,结构和集成技术进行了前瞻性研究。国内优势企业,大学和研究院所对基于硅的逻辑器件的全套铅技术进行了系统研究,为工业发展提供了技术知识产权援助。

此外,刘明还表示,中国已经对新的存储器前沿和关键技术进行了系统研究;学术界与业界紧密合作,共同开发了RRAM,PRAM和MRAM的大规模集成流程。

最后,刘明强调,集成电路的快速发展是信息化的核心和基础。继续使设备体积缩小的“超越摩尔”路线很难在中国以外实现,但这是创新的基础。它必须得到巩固,没有任何余地。 (打样/冬青)

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